4,鹵烷 alkyl halides
烷類、醇(酸/加熱)和一些含鹵化合物反應得到鹵烷
SP3混成鹵素的烷類,低極性,不溶水沉水,碳數同分子量越大沸點越高
親核基與親電基:
攻擊者為親核基,以高電子密度區(LP)攻擊親電基的低電子密度區
親核試劑Nu-:陰離子,OH- 、Cl-等鹵素離子,或有孤電子對LP的化合物
強親核:RS-、I-、Br-、Cl-;立障小的帶負電C、N、O (SN2快)
弱親核:電中性帶高EN親核端 H2O、ROH、F-;立障大的帶負電C、N、O
R3P >RS- /HS- >I- >CN- >RO- >HO- >Br- >NH3- >AcO- >Cl- >F- >H2O
*極化差的親核劑優先E2 (傾向攻擊C-H);極化好的親核劑優先SN2 (傾向攻擊C-X)
*質子氫溶劑:增加半徑大鹵素離子的親核力
極性質子性溶劑(水)易形成碳陽離子中間產物 = SN1
*極性質子性溶劑 (有F-O、O-H、N-H):醇類ROH、水
極性非質子性溶劑(DMSO),不形成氫鍵(無溶劑層) = SN2
*極性非質子性溶劑(沒有...):丙酮、DMSO、DCM、DMF、THF
親電試劑:陽離子(如NO2+)、極性分子、自由基、路易士酸、大多帶正電/不具八隅體電子
好離去基:電負度較大,拉電子能力強,鹵素、氧、氮…,使碳易帶正電,親核反應更快
強酸的共軛鹼(弱鹼)為好的離去基 (離去基團易從分子脫離 = 好離去基)
*離去基和電負度EN未必正相關
>實際電負度:F > O > N > Cl > Br > I > S > C > H;鹵素(除氟) : Cl > Br > I
好離去基: N2 > TiO- > I- > Br- > Cl- > R-C=O > HOEt >H2O HOR
壞離去基: R-F 、 HOAc 、 -OH 、 -NH2 、 N(CH3)3
鹵烷反應:親核Nu-攻擊親電的取代反應 SN1/2 ;
鹼性Nu-打斷β-H的消去反應 E1/2 (電子移動後組成雙鍵)
強鹼可攻擊C-鹵素得取代產物,也可打斷 β-H得消去產物 (反應互相競爭)
弱鹼多半以取代反應為主,(提高溫度可以稍微產生消去反應)
*高級醇脫水消去
一級鹵代烴與NaOH;KOH水溶液 :親核取代反應產生一級醇
二、三級鹵代烴與NaOH;KOH水溶液:優先消去反應產生烯烴
SN1反應:反應物自解碳陰/陽離子,碳陽離子結合親核劑,一級,無立體特異性,
產物:外消旋混合物 ,可能重排,*離去基離開擋住親核接上,背面產物多
中間物:碳陽離子,越能共振分散正電荷越穩定,3級 >2級 >1級 >CH3+
*例外:8碳以下環的橋頭碳不穩;可共振的C=C-+ 穩
中間物會重排成更穩定的組態,3~4C環可能合環,優先解決環張力
* 重排不可跳格
SN1使用弱親核劑避免競爭反應( ROH、H2O、HOAc
SN2反應:背後攻擊,二級,碰撞同時反應,喜強親核基( 帶不穩定的⊝
立體特異性(產物:完全翻轉: tran~cis;出~入紙面
*消旋速度是反應速度的兩倍大多=SN2
強鹼強親核的SN2不可逆,弱鹼強親核(鹵素)的SN2可逆
*常使用極性非質子溶劑
比較:
SN1:立體障礙越多越好,有O/N的l.p.可共振穩定碳陽離子,3級碳 只SN1
必須要有離去基,離去能力越強越快 *3級橋頭碳產物例外=不反應
SN2:立體障礙越小越好 (離去基軸向),有C=O拉電子基優先SN2,產物反轉
*allyl C=C-C-H 與SN1 / SN2 皆可 ;vinyl C=C-鹵素 SN1 / SN2都不反應
苯環:有推電子基傾向SN1 ; 有拉電子基傾向SN2
「三級碳原子」離去基,立障大無法SN2,走SN1反應路徑。 三1 一2
「一級碳原子」離去基,SN1形成一級碳陽離子耗費的能量高,走SN2反應機制
「二級碳原子」離去基,由溶劑和親核試劑決定,
HX酸性愈強,反應速率愈快,故 HI>HBr>HCl
鹵烷鄰助效應:分子自身有l,p,的基團先親核攻擊一次,外在分子再親核攻擊,得到取代產物
位於離去基正背面的 -鹵素、-O、-N、有 π 鍵的C=C,水解特別快
推/拉電子基: ortho 60 meta 120 para 180
拉電子基EWG (增加親核):
強:CF3、CCl3、 -NO2、N+R3 (活化meta)
中:C≡N、-SO3H、O=C-OR、C=O (活化meta)
弱: F > COOH > Cl > Br > I > C≡C > OH > C6H5 > C=C > H (活化ortho para)
推電子基EDG(增加親電取代):
強:-O-、NH2、NHR、-OH、-OR (活化ortho para)
中:HN-C=O、O=C-O (活化ortho para)
弱: -benz (CH3)3C- > (CH3)2CH- > CH3CH2- > CH3- > H (活化ortho para)
消去反應:傾向高溫,有利
E1:類似SN1,兩步,1、反應物離去基離去,生成中間體碳正離子
2、溶劑分子奪取碳正離子β-氫,生成烯烴 π 鍵
*會重排,一級反應,如反應物有立體特異性生成等量取代產物
*鹵烷類以親核性鹼處理時,E1與SN1同時反應,競爭產生混合產物
好離去基,但試劑親核性強,立障小,則傾向SN1
E1與SN1相同,需求高極性溶劑 (可能同時發生);E2則溶劑是醇類 (KOH方便
位向選擇: E1產物主要多取代=柴澤夫產物 (C=C旁較多R基,通常環上)

E2:強鹼直接拉走鹵烷的質子C-H,二級反應,酸鹼消去,而非親核試劑
鹼進攻β-氫,並與離去基同時離去, 斷鍵的C-H和C-X 間生成烯烴 C=C π 鍵
*X-C-H X和H必須反向共平面(入紙、出紙)才可消去,同向消不掉
*鹵烷可以自由旋轉則E2反向共平面,如鹵烷無法旋轉(環狀剛性)則E2同向共平面
> 鹵素在環狀軸上且好LVG較快 > 鹵素在環狀赤道上難以E2
鹵素LVG I- > Br- > Cl- >>>>>F (難離去)
*立體特異性,反反得順 H和鹵素 cis順.近~Z 近 ; 順反得反 H和鹵素 trans反.遠~E 遠
第一個順/反是反應物 cis順.近 或 trans反.遠 ;第二個 鹵素通常是 反
*環狀鹵烷:找trans遠 的C-H/C-D 和C-X ;如環上沒有則雙鍵可能在環接的烷基上
*鹼進攻較不受立體阻礙影響;不產生碳陽離子,不重排;強鹼、好離去基加速反應
*強鹼與強親核未必絕對相關 > 鹵素離子強親核但不是鹼
位向選擇:
用立障小鹼 (可能SN2) :產物主要多取代=柴澤夫產物 (C=C旁較多R基.通常環上)
用立障大鹼 / 普通LVG :產物主要少取代=霍夫曼產物 (C=C旁較少R基.通常環外)
無位向選擇則喜大立障,快 EEE2先消(3級碳 強鹼) 常見:(4C)BuOK
*異構物考慮E / Z form 和C=C在中間(VIIV)的產物 可能*3種
鄰助效應:特大環會再傾向變成5/6環位置水解
一級同位素效應:在決定速率步驟中與同位素相連的鍵發生斷裂反應
比較:
鹵烷還原: 自由基連鎖反應還原,照光
R-C-C-X + Bu3Sn-H ➝ AIBN➝ R-C-C-H + Bu3Sn-X
鹵烷製造有機金屬: 通過 醚溶劑
R-X + 活性金屬 ➝ ether醚 (THF)➝ R-活性金屬 (直接拔掉鹵素
合成鹵烷:照光 見 "烷"章節 ,可能重排
烷類自由基鹵化反應: △ 或 hv *如果是環或苯環通常接環外 allylic 基
R-H + X-X ➝ 高溫或紫外光➝ R-X + H-X
F2 選擇差,放熱 1°碳 :2°碳:3°碳 = 1:1:1 ; * I2 要大量吸熱 難反應
Cl2 選擇差,放熱 1°碳 :2°碳:3°碳 = 1:4:5 >如果1°碳-H很多,會取代1°碳
Br2 選擇好,溴化吸熱 1°碳 :2°碳:3°碳 = 1:100:1600 > 優先取代 3°碳
*但Br2加上ROOR過氧化物會產生反馬可尼可夫加成,反而取代1°碳
ROOR產生碳自由基中間產物(相對穩定性: 3°>2°>1°
三鍵:拔一次鍵,E/Z產物,如ROOR則只單少取代產物,接H則拔兩次
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