8.芳香族 Aromatic
芳香族:特性類似苯,主要親電取代反應,疏水,熔點高(平面對稱)
喜SN親電取代反應,幾乎不加成
*4C 環丁二烯,產生兩個未鍵結軌域,不穩定;8C環辛四烯平面不穩定,喜好盆型結構
芳香性判斷
前提:環狀、連續共軛p軌域 C=C-C=C...、平面結構
組成π鍵的電子總數為 4n = 反芳香性 Anti Ar 親電取代特慢
組成π鍵的電子總數非上述 / 非平面,沒連續共軛 = 非芳香性 non Ar
芳香雜環:在sp2混成軌域 C-N=C 上的酸鹼表現較強 (電子不參與 π 共振)
*如果解離後成為芳香性高穩定的陰/陽離子,離子的酸/鹼性會特別強,反應速率也更快
*產生明顯+ - 電荷分離共振式的鏈結雙環會有較大的偶極矩
親電:陽離子(如NO2+)、極性分子、自由基、路易士酸、大多帶正電/不具八隅體電子
芳香族親電取代:苯可視為親核劑,只提供π電子給活性高親電劑,插上取代
需活性高親電劑(Lewis酸):HNO3、H2SO4(磺化可當保護基) 、[ X2、RX... ] / H+
取代基酸性次序表(考慮氫鍵) ex:Ar-COOH皆不同取代基酸性
NH2(強推鹼性):不接 > m >P >O O 產生氫鍵但鹼性抵銷,m位沒共振推反而誘導拉
硝化親電反應:放熱,苯與硝酸在濃硫酸催化下可生成硝基苯
苯供 π電子,接上NO2破壞自身芳香,鹼HSO4-消去H,恢復芳香
磺化親電反應:Ar-H → SO3 / fuming H2SO4 → Ar-SO3H 可逆
苯供 π電子,接上HSO3-破壞自身芳香,鹼HSO4-消去H,恢復芳香
*加熱可逆,放進dliute稀硫酸液內加熱還原,硫酸加水放熱有利反應
之後的NO2只能插到60 ortho鄰位,再逆磺化拔HSO3插H,得鄰位取代
Friedel-Crafts F-C烷基化反應(傅-克):強路易斯酸催化鹵化物,烷基化芳香環,烷陽離子重排
酸拔走鹵化物的鹵素,產生陽離子;強路易斯酸變成鹼 YX4- *芳香環不可有鹼性官能基NH2/NO
碳陽離子攻擊取代環上的氫,鹼 YX4-拔走H ~ HX,最後產生Ar-R和HX(離開)
*中間物烷陽離子重排,傾向穩定多取代三級碳, C=C也可能打開 *不拆芳香環鹵素官能基
會酸反應的鹼性取代基Ar- NH2也不行,除非接上醯基保護基 R-C=O 降低鹼
中去活化基:RC=O、HOC=O、H2NC=O、SO3H、C≡N
*烯類也可以用路易斯酸拔走一根雙鍵,產生烷陽離子,注意 C-F 拆不掉
*烷基屬於推電子基,鹵烷過多會產生多取代產物,過量苯才可得單取代
*也有分子內 F-C反應,有去活化基也能得到產物,多環很容易還原C=C合環
1、N2H4 / 鹼性 ; 2、Zn / 濃HCl ; 3、H2 / Pb (限定拆benz -C=O
苯親電取代SEAr反應速率:苯環SEAr提供 π電子親電,
環上有推電子基EDG則親電快=活化基, 負電荷 偶極向環
環上有拉電子基EWG則親電慢=去活化基, 正電荷 偶極拉走環電子
ortho meta para 酸性判斷: o 60 m 120 p180
Benz-COOH,有推電子基酸性降低;拉電子基酸性增加
酸性:接Br>Cl > F >H 但如果是醋酸反而F>Cl>H (F陰離子更穩
氫鍵:酸插NO2: o > p > m >不插 ;OH-插NO2: p > o > m >不插 (分子內氫鍵降酸性)
誘導推:酸插NH2: 不插 > m > p > o ; 拉電子:酸插同種鹵素: o > m > p >不插
酸插CH3: o (立障使酸不同平面解離) > 不插 > m > p
插新取代基位向:推電子與鹵素:使產物新插入鄰o對p位, 拉電子基:使產物新插入m間位
推電子: o p位置共振陽離子產物為三級(共振在推電子基上),較穩定
弱拉電子(鹵素):o p位置共振陽離子產物為三級(共振在新取代基上),較穩定
拉電子:o p位置共振陽離子產物的正電在已是正電的拉電子基上(雙 +),m位相對穩定
*注意無法進行F-C烷基化的強活化基 ; NO2、SO3H、NH2
*阿斯匹靈:COOH-[Ar]-COOCH3 (ortho)
雙環萘插新取代基位向:有活化基的活化環優先、一般 α ,磺化 β 、o/p和m定位基最終位
活化基:選活化環上 α 位(更優先ortho位);有加熱則熱力產物,旁環對向 β 位
去活化基:選旁環 α 位 *考慮立障 優先對向對稱位
接兩個Br,加熱後會脫去一個H- ,H攻擊,脫去 Br-,形成C=C~benz
五元芳香雜環:吡咯類 N / O / S 取代一個C,取代時優先 α 位 (離取代N/O/S近的碳)
進行D-A周環反應會架橋,產物 Z/E異構 親電取代速度/穩定:N >O >S >benz
不用催化也能進行F-C親電取代 (但鹼性反應較差) 遇事不決 α 位
六元芳香雜環:反應速率小於苯,
接N與親電劑的取代選m位 (60),共振三次最穩
接N-O取代選p位 (180),沒有斥力 *可以PPh3加熱移除O
鹵芳環親核取代反應SNAr:鹵芳環只有在 o / p 位置有拉電子基才可親核取代 (無中間物
*SNAr不是 "SN1/2=先加成再消去",如果在m位或沒拉電子基則不SNAr(要中間物或X
*SNAr反應速度: 插F > Cl > Br > I ;o / p 位置拉電子基越多越快 (m位不影響
反應速率與LVG好壞無關 與拉電子強度有關(降電子密度更好拆
*相似: 高溫高壓NaNH2/NH3 形成中間物苯炔C≡C 直接取代 / 拆C≡C其中一邊,兩種產物
重氮鹽取代制備:Ar-NH2 → NaNO2/ HCl (低溫) → Ar-N≡N+ (好LVG)
重氮苯能直接以鹵素/CN / OH 取代N≡N+,甚至自身偶聯
芳香族氧化還原:苯一般不被還原,只會把苯上接的雙鍵C=O還原插上H
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